參數(shù)資料
型號： STPS10L40CT
廠商： 意法半導體
英文描述： LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 低壓差功率肖特基整流器
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： STPS10L40CT
STPS10L60CF/CFP
2/5
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
R
*
Reverse leakage current
Tj = 25°C
V
R
= V
RRM
220
μA
Tj = 125°C
45
60
mA
V
F
*
Forward voltage drop
Tj = 25
°
C
I
F
= 5 A
0.55
V
Tj = 125°C
I
F
= 5 A
0.43
0.52
Tj = 25
°
C
I
F
= 10 A
0.67
Tj = 125°C
I
F
= 10 A
0.55
0.64
Pulse test : * tp = 380 μs,
δ
< 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation :
P = 0.4x I
F(AV)
+ 0.024 I
F2(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(per diode)
Symbol
R
th (j-c)
Parameter
Value
4.5
3.5
2.5
Unit
°C/W
Junction to case ISOWATT220AB TO-220FPAB
Per Diode
Total
Coupling
R
th (c)
°
C/W
THERMAL RESISTANCE
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode1) x R
th(j-c)
(Per diode) + P(diode 2) x R
th(c)
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
PF(av)(W)
IF(av) (A)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.05
δ
= 1
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
Fig. 1:
Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
IF(av)(A)
T
δ
=tp/T
tp
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Tamb(°C)
Fig.
temperature (
δ
=0.5) (per diode).
2:
Average
current
versus
ambient
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