參數(shù)資料
型號(hào): STP9NB60FP
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
中文描述: N溝道增強(qiáng)模式PowerMESHTM MOSFET的(不適用溝道增強(qiáng)模式MOSFET的)
文件頁數(shù): 6/9頁
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代理商: STP9NB60FP
Fig. 1:
Unclamped InductiveLoad Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
ResistiveLoad
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
TestCircuit For InductiveLoad Switching
And Diode RecoveryTimes
STP9NB60/FP
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PDF描述
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參數(shù)描述
STP9NC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 0.6ohm - 9A TO-220/TO-220FP PowerMESHII MOSFET
STP9NC60FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 0.6ohm - 9A TO-220/TO-220FP PowerMESHII MOSFET
STP9NC65 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 650V - 0.75omp - 8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP9NC65FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 650V - 0.75omp - 8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP9NK50Z 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube