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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP8N50XI |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | SOT-186VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 4.5AI（四）|的SOT - 186VAR |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 479K |
| 代理商： | STP8N50XI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP8 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AB |
| STPR1620CG-TR | ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP8N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP8N80K5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP8N90K5 | 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:130W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP8NA50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STP8NA50FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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