- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄372361 > STP80N03L06 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STP80N03L06 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 80A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 181K |
| 代理商： | STP80N03L06 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP80NE03L06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB |
| STP80NF04 | N-CHANNEL 40V - 0.008 OHM - 80A D2PAK/TO-220 STRIPFET II POWER MOSFET |
| STP80NF55-07 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220 |
| STP80NS04ZB | N-CHANNEL CLAMPED 7.5MOHM - 80A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET |
| STB80NF04 | N-CHANNEL 40V - 0.008 OHM - 80A D2PAK/TO-220 STRIPFET II POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP80N03L-06 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| STP80N05-09 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR |
| STP80N06-10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR |
| STP80N10F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP80N20M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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