參數(shù)資料
型號(hào)： STP45N10FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 連接器附件
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 114K
代理商： STP45N10FI
1/6
PRELIMINARY DATA
November 2000
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
STP45NF06
N-CHANNEL 60V - 0.022
- 38A TO-220
STripFET POWER MOSFET
(1) I
SD
≤
38A, di/dt
≤
300A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.022
I
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of
STMicroelectronics
unique
Size
”
strip-based process. The resulting tran-
sistor shows extremely high packing density for
low on-resistance, rugged avalance characteris-
tics and less critical alignment steps therefore a re-
markable manufacturing reproducibility.
“Single
Feature
APPLICATIONS
I
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
I
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100°C
I
DM
(
G
)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
G
) Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STP45NF06
60V
<0.028
38A
Parameter
Value
Unit
60
V
60
V
±20
V
38
A
26
A
152
A
80
W
0.53
7
W/°C
V/ns
–65 to 175
°C
175
°C
TO-220
1
2
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP5N30LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP5NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STP5NA50FI N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STP5NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STP5NA60FI N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP45N40DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP45N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:93 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP45N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP45NE06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP45NE06FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 60V - 0.022ohm - 45A - TO-220/TO-220FP STripFETO POWER MOSFET
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