參數(shù)資料
型號(hào)： STP33N10FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 199K
代理商： STP33N10FI
STP33N10
STP33N10FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.045
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
I
REGULATORS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.06
< 0.06
I
D
STP33N10
STP33N10FI
100 V
100 V
33 A
18 A
1
2
3
TO-220
ISOWATT220
July 1993
1
2
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STP33N10
STP33N10FI
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
100
V
V
DGR
100
V
V
GS
±
20
V
I
D
33
18
A
I
D
23
12
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
132
132
A
150
45
W
Derating Factor
1
0.3
W/
o
C
V
ISO
Insulation Withstand Voltage (DC)
2000
V
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 175
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulsewidth limited by safe operating area
175
1/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP3NA100FI N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管)
STP3NA100 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管)
STP3NB100FP N-Channel 1000V-5.3Ω-3A- TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
STP3NB100 N-Channel 1000V-5.3Ω-3A- TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
STP3NB80FP N-Channel 800V-4.6Ω-2.6A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP33N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 24A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1870pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP33N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 26A TO220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V, 0.090 Ohm, 26A, MDmesh II Plus,N-CHL,TO-220.
STP33N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:41.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1790pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP3471PGM 制造商:Ferraz Shawmut 功能描述:
STP3481 制造商:STANSON 制造商全稱:STANSON 功能描述:P Channel Enhancement Mode MOSFET
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