參數(shù)資料
型號: STP30N06FI
廠商: 意法半導體
英文描述: N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
中文描述: N溝道增強模式功率MOS晶體管(不適用溝道增強模式功率MOSFET的)
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代理商: STP30N06FI
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
Normalized On Resistance vs Temperature
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Temperature
STP30N06/FI
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP30NE06L N - CHANNEL 60V - 0.035 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP30NE06LFP N - CHANNEL 60V - 0.035 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP32N05L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP32N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP32N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP30N20 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP30N65M5 功能描述:MOSFET N-channel 650 V MDMesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP30NE03L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 30V - 0.028 ohm - 30A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP30NE03LFP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 30V - 0.028 ohm - 30A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP30NE06 功能描述:MOSFET RO 511-STP36NF06 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube