參數(shù)資料
型號： STP15N06L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/10頁
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代理商： STP15N06L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 25 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 40 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 40 V
I
D
= 7.5 A
V
GS
= 5 V
60
190
90
270
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 15 A
V
GS
= 5 V
120
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 15 A
V
GS
= 5 V
12
7
4
18
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 40 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 15 A
V
GS
= 5 V
40
60
110
60
90
160
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
15
60
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 15 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 15 A
V
DD
= 25 V
(see test circuit, figure 5)
80
0.18
4.5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Areas For TO-220
Safe Operating Areas For ISOWATT220
STP15N06L/FI
3/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP16NE06FP N-Channel 60V-0.08Ω-16A- TO-220/TO-220FP STripFETTM POWER MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP16NE06 N-Channel 60V-0.08Ω-16A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP16NE06LFP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET
STP16NE06L N-Channel Enhancement Mode SINGLE FEATURE SIZETM Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STP19N06FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP15N06LFI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:378 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP15N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP15N80K5 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP15N95K5 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 950V 12A TO220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 950 V, 0.41 Ohm typ., 12 A SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-220 pack
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