參數(shù)資料
型號： STP15N05L
廠商： 意法半導體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 201K
代理商： STP15N05L
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
B
2.5
2.7
0.098
0.106
D
2.5
2.75
0.098
0.108
E
0.4
0.7
0.015
0.027
F
0.75
1
0.030
0.039
F1
1.15
1.7
0.045
0.067
F2
1.15
1.7
0.045
0.067
G
4.95
5.2
0.195
0.204
G1
2.4
2.7
0.094
0.106
H
10
10.4
0.393
0.409
L2
16
0.630
L3
28.6
30.6
1.126
1.204
L4
9.8
10.6
0.385
0.417
L6
15.9
16.4
0.626
0.645
L7
9
9.3
0.354
0.366
3
3.2
0.118
0.126
L2
A
B
D
E
H
G
L6
F
L3
G
1 2 3
F
F
L7
L4
ISOWATT220 MECHANICAL DATA
P011G
STP15N05L/FI
9/10
相關PDF資料
PDF描述
STP15N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP15N06L N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
STP16NE06FP N-Channel 60V-0.08Ω-16A- TO-220/TO-220FP STripFETTM POWER MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP16NE06 N-Channel 60V-0.08Ω-16A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STP16NE06LFP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STP15N05LFI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP15N06L 功能描述:MOSFET REORD 511-STP16NE06L TO-220 N-CH 60V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP15N06LFI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:378 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50
STP15N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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