參數(shù)資料
型號(hào)： STP14NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 15A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.115歐姆-第15A TO-220/TO-220FP/D2PAK低柵極電荷STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： STP14NF10
3/8
STP14NF06
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
t
f
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 30V, I
D
= 7 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 48 V, I
D
= 14 A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
12.5
ns
t
r
Rise Time
32
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
11.2
3.7
3.2
15
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 30 V, I
D
= 7 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
30
9.5
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off-Delay Time
Fall Time
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
14
A
Source-drain Current (pulsed)
56
A
Forward On Voltage
I
SD
= 14 A, V
GS
= 0
1.3
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 14 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 30 V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
38
61
3.2
ns
nC
A
Safe Operating Area
Thermal Impedence
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP14NF10FP N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 15A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
STP14NF12 N-CHANNEL 120V - 0.16ohm - 14A TO-220/TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STP14NF12FP N-CHANNEL 120V - 0.16ohm - 14A TO-220/TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
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STP15N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STP14NF12_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 120V - 0.16OHM - 14A - TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
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