參數(shù)資料
型號(hào)： STP12NM50FP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET
中文描述： N溝道500V -為0.3W - 12A條TO-220/TO-220FP/I巴基斯坦的MDmesh]功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 689K
代理商： STP12NM50FP
Electrical Characteristics
Symbol
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Unit
Min.
Typ.
Max.
I
DRM
Repetitive Peak Off-State
Current
V
D
= V
DRM
, Single Phase, Half Wave
T
J
= 125 °C
─
─
2.0
mA
V
TM
Peak On-State Voltage
I
T
= 20 A, Inst. Measurement
─
─
1.4
V
I
+GT1
Ⅰ
Gate Trigger Current
V
D
= 6 V, R
L
=10
Ω
─
─
30
mA
I
-GT1
Ⅱ
─
─
30
I
-GT3
Ⅲ
─
─
30
V
+GT1
Ⅰ
Gate Trigger Voltage
V
D
= 6 V, R
L
=10
Ω
─
─
1.5
V
V
-GT1
Ⅱ
─
─
1.5
V
-GT3
Ⅲ
─
─
1.5
V
GD
Non-Trigger Gate Voltage
T
J
= 125 °C, V
D
= 1/2 V
DRM
0.2
─
─
V
(dv/dt)c
Critical Rate of Rise Off-State
Voltage at Commutation
T
J
= 125 °C, [di/dt]c = -6.0 A/ms,
V
D
=2/3 V
DRM
10
─
─
V/
I
H
Holding Current
─
20
─
mA
R
th(j-c)
Thermal Impedance
Junction to case
─
─
1.8
°C/W
STP12A60
2/5
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PDF描述
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參數(shù)描述
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STP12NM60N 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP12NR20 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB
STP12NR20FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
STP12PF06 功能描述:MOSFET P-Ch 60 Volt 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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