參數(shù)資料
型號(hào)： STN6475SMSTXV
廠商： SOLID STATE DEVICES INC
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： STN6475SMSTXV
NOTE: All specifications are subject to change without notification.
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.
DATA SHEET #: T00031C
DOC
Solid State Devices, Inc.
14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638
Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
STN6469 – STN6476
ELECTRICAL
CHARACTERISTICS (Note 1)
Standoff
Voltage
Maximum
Reverse
Leakage
Reverse
Breakdown
Voltage
Test
Current
Max Clamping
Voltage (VCL) @
Peak Pulse Current
(IPP) (Note 3)
Typical
Temp.
Coefficient of
VBR
Voltage (VBR) @ IT
Replacement
JEDEC Part
Numbers
PART NUMBER
VSO
IR @ VSO
Min
IT
VCL
IPP
UNIPOLAR
Volts
uA
Volts
mA
Volts
Amps
(% /
oC)
STN6469
5
5000
5.6
50
9.0
167
0.04
1N6469
STN6470
6
5000
6.5
50
11.0
137
0.04
1N6470
STN6471
12
1000
13.0
10
22.6
66
0.05
1N6471
STN6472
15
1000
16.4
10
26.5
57
0.06
1N6472
STN6473
24
100
27.0
5
41.4
36.5
.084
1N6473
STN6474
30.5
5
33.0
1
47.5
32
.093
1N6474
STN6475
40.3
5
43.7
1
63.5
24
.094
1N6475
STN6476
51.6
5
54.0
1
78.5
19
.096
1N6476
FIGURE 1
DIMENSIONS
DIM
MIN
MAX
A
0.130”
0.165”
B
0.140”
0.160”
C
0.038”
0.042”
D
1.00”
---
FIGURE 2
DIMENSIONS
DIM
MIN
MAX
A
0.172”
0.178”
B
0.180”
0.230”
C
0.020”
0.028”
D
0.001”
---
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STN6476SMSTXV 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
STN6473SMSTXV 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
STPF520D 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
STPR2010CT 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
STPR2030CT 10 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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參數(shù)描述
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STN715 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STN715T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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