參數(shù)資料
型號： STL20NM20N
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 20A PowerFLAT ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET
中文描述： N溝道200伏- 0.088ohm - 20A條的PowerFLAT超低柵極電荷的MDmesh MOSFET的二
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 288K
代理商： STL20NM20N
1/9
June 2005
STL20NM20N
N-CHANNEL 200V - 0.088
- 20A PowerFLAT
ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET
Table 1: General Features
I
WORLDWIDE LOWEST GATE CHARGE
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.088
I
IMPROVED DIE-TO-FOOTPRINT RATIO
I
VERY LOW PROFILE PACKAGE (1mm MAX)
I
VERY LOW THERMAL RESISTANCE
I
LOW GATE RESISTANCE
I
LOW INPUT CAPACITANCE
I
HIGH dv/dt and AVALANCHE CAPABILITIES
DESCRIPTION
This 200V MOSFET with a new advanced layout
brings all unique advantages of MDmesh technol-
ogy to lower voltages. The device exhibits world-
wide lowest gate charge for any given on-
resistance.Its use is therefore ideal as primary
switch in isolated DC-DC converters for Telecom
and Computer applications.Used in combination
with secondary-side low-voltage STripFET
TM
prod-
ucts, it contributes to reducing losses and boosting
efficiency.The new PowerFLAT package allows
a significant reduction in board space without com-
promising performance.
APPLICATIONS
The MDmesh
TM
family is very suitable for increas-
ing power density allowing system miniaturization
and higher efficiencies
Table 2: Order Codes
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STL20NM20N
200 V
< 0.105
20 A
PowerFlat (6x5)
(Chip Scale Package)
SALES TYPE
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STL20NM20N
L20NM20N
PowerFLAT(6x5)
TAPE & REEL
Rev. 3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STL27N15 N-CHANNEL 150V - 0.045 W - 27A PowerFLAT LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STL71 MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STL71L71H MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STL71L71L MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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STL2-1130GGT-016U 制造商:Microparts-Garry 功能描述:MPESTL2-1130GGT-016U CONN STL2-1130-GGT-
STL21-A02VGT-028C/TR 制造商:GARRY 功能描述:
STL21N65M5 功能描述:MOSFET Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STL220N3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:220A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8650pF @ 25V 功率 - 最大值:113W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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