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參數(shù)資料
| 型號： | STK11C68-5C45M |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | CMOS NV SRAM |
| 中文描述： | 的CMOS非易失SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | STK11C68-5C45M |
STK11C68-M
4-34
#1
#2
Alt.
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
SYMBOLS
STK11C68-35M
STK11C68-45M
STK11C68-55M
NO.
PARAMETER
UNITS
#1
#2
Alt.
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
NO.
PARAMETER
UNITS
WRITE CYCLES #1 & #2; G low
SYMBOLS
STK11C68-35M
STK11C68-45M
STK11C68-55M
12
t
AVAV
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
35
45
55
ns
13
t
WLWH
t
WLEH
t
WP
Write Pulse Width
30
35
45
ns
14
t
ELWH
t
ELEH
t
CW
Chip Enable to End of Write
30
35
45
ns
15
t
DVWH
t
DVEH
t
DW
Data Set-up to End of Write
18
20
30
ns
16
t
WHDX
t
EHDX
t
DH
Data Hold After End of Write
0
0
0
ns
17
t
AVWH
t
AVEH
t
AW
Address Set-up to End of Write
30
35
45
ns
18
t
AVWL
t
AVEL
t
AS
Address Set-up to Start of Write
0
0
0
ns
19
t
WHAX
t
EHAX
t
WR
Address Hold After End of Write
0
0
0
ns
WRITE CYCLES #1 & #2; G high
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
12
t
AVAV
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
45
45
55
ns
13
t
WLWH
t
WLEH
t
WP
Write Pulse Width
35
35
45
ns
14
t
ELWH
t
ELEH
t
CW
Chip Enable to End of Write
35
35
45
ns
15
t
DVWH
t
DVEH
t
DW
Data Set-up to End of Write
30
30
30
ns
16
t
WHDX
t
EHDX
t
DH
Data Hold After End of Write
0
0
0
ns
17
t
AVWH
t
AVEH
t
AW
Address Set-up to End of Write
35
35
45
ns
18
t
AVWL
t
AVEL
t
AS
Address Set-up to Start of Write
0
0
0
ns
19
t
WHAX
t
EHAX
t
WR
Address Hold After End of Write
0
0
0
ns
20
t
WLQZi,m
t
WZ
Write Enable to Output Disable
35
35
35
ns
21
t
WHQX
t
OW
Output Active After End of Write
5
5
5
ns
Note i:
Note k:
Note m:
Measured + 200mV from steady state output voltage.
E or W must be
≥
V
IH
during address transitions.
If W is low when E goes low, the outputs remain in the high impedance state.
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STK11C68-5C55M | CMOS NV SRAM |
| STK11C68-5K35M | CMOS NV SRAM |
| STK11C68-5K45M | CMOS NV SRAM |
| STK11C68-5K55M | CMOS NV SRAM |
| STK11C68-5L35M | CMOS NV SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STK11C68-5C55M | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V Softstore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| STK11C68-5K35M | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V Softstore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| STK11C68-5K45M | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V Softstore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| STK11C68-5K55M | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V Softstore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| STK11C68-5L30M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (EEPROM Based) |
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