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參數(shù)資料
| 型號： | STI4067 |
| 英文描述： | DIODE TVS 110V 600W UNI 5% SMB |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 600V的五（巴西）總裁|至3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 161K |
| 代理商： | STI4067 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STI4072 | DIODE TVS 110V 600W BIDIR 5% SMB |
| STI4074 | DIODE TVS 11V 600W UNIDIR 5% SMB |
| STI4075 | DIODE TVS 120V 600W UNI 5% SMB |
| STI5003D | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 500V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
| STI5740 | DIODE TVS 600W 350V UNI 5% SMB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STI4072 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 600V V(BR)CEO | TO-3 |
| STI4074 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 600V V(BR)CEO | TO-3 |
| STI4075 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 600V V(BR)CEO | TO-3 |
| STI409 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
| STI40N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 |
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