參數(shù)資料
型號: STI17775
英文描述: TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 500V V(BR)CEO | TO-218AA
中文描述: 晶體管|晶體管|達林頓|進步黨| 500V五(巴西)總裁|到218AA
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代理商: STI17775
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STI17776 SCR Thyristor; Package/Case:TO-220; Capacitance:30pF; Current, It av:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:300V; Holding Current:150mA; Leaded Process Compatible:No; Mounting Type:Through Hole; On-State Saturation Voltage:4V
STI17777 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 450V V(BR)CEO | TO-218AA
STI17778 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 500V V(BR)CEO | TO-218AA
STI2000 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | TO-92
STI2001 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STI17776 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 400V V(BR)CEO | TO-218AA
STI17777 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 450V V(BR)CEO | TO-218AA
STI17778 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 500V V(BR)CEO | TO-218AA
STI17NF25 功能描述:MOSFET N-Channel 250V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STI18N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):330 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):770pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50