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參數(shù)資料
| 型號： | STI15030 |
| 英文描述： | DIODE, BALANCED TRIPLE SIDACTOR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 150伏五（巴西）總裁| 8A條一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 178K |
| 代理商： | STI15030 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STI15031 | DIODE, BALANCED TRIPLE SIDACTOR |
| STI16032 | OVER-VOLT PRTC,280V-350V,P3203A,DO220 |
| STI16034 | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:TO-220; Current, It av:2.2A; Leaded Process Compatible:Yes; Capacitance:40pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:270V; Holding Current:150mA |
| STI16080 | SCR Thyristor; Package/Case:TO-220; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Triac Type:Sidac |
| STI16081 | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:MS-013; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Capacitance:60pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A RoHS Compliant: No |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STI15031 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
| STI150N10F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 55A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:117nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8115pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK（TO-262） 標準包裝:50 |
| STI15NM60N | 功能描述:MOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STI15NM60ND | 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-0.27ohms FDMesh 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STI15NM65N | 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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