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參數(shù)資料
| 型號： | STH80N05 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-218 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 50V五（巴西）直| 80A條（丁）|至218 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 328K |
| 代理商： | STH80N05 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STH80N05FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-218VAR |
| STW80N05 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-247 |
| STW80NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.0065з - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STripFET II POWER MOSFET |
| STW80NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A TO-247 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STW80NF12 | N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STH80N05FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-218VAR |
| STH80N10F7-2 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 |
| STH81002Z | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1550nm Laser in Coaxial TO-Package |
| STH8265/128 | 制造商:STEC Inc 功能描述: |
| STH85N15F4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
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