- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄372287 > STH13091 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STH13091 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 450V五（巴西）總裁|第15A一（c）|至218AC |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 178K |
| 代理商： | STH13091 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STH16002 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218AC |
| STH16002A | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:6-SOIC; Reel Quantity:1500; Capacitance:40pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:280V; Holding Current:50uA RoHS Compliant: NA |
| STH16004 | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:40pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:280V; Holding Current:50uA; Mounting Type:Surface Mount |
| STH16006 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218AC |
| STH16006A | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:MS-013; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:80pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:130V; Holding Current:150mA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STH130N10F3-2 | 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STH13NB60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
| STH13NB60FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
| STH-14 | 功能描述:工具套件與外殼 KIT RoHS:否 制造商:Molex 產(chǎn)品: 類型: 大小: |
| STH140N6F7-2 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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