參數(shù)資料
型號： STGW50NB60M
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道50A條- 600V的-對IGBT的247 PowerMESH⑩
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 299K
代理商： STGW50NB60M
3/9
STGW50NB60M
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
t
c
Cross-over Time
t
r
(V
off
)
Off Voltage Rise Time
t
d
(
off
)
Delay Time
t
f
Fall Time
E
off
(**)
Turn-off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
c
Cross-over Time
t
r
(V
off
)
Off Voltage Rise Time
t
d
(
off
)
Delay Time
t
f
Fall Time
E
off
(**)
Turn-off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by max. junction temperature.
(**)Losses include Also the Tail (Jedec Standardization)
Test Conditions
V
cc
= 480 V, I
C
= 50 A
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
Min.
Typ.
450
Max.
Unit
ns
130
ns
410
ns
300
ns
4
mJ
4.1
mJ
V
cc
= 480 V, I
C
= 50 A
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
730
ns
265
ns
Tj = 125 °C
565
ns
440
ns
6.6
mJ
7.1
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGY50NB60 N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STH4N90 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH4N90FI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH51002Z 1300nm Laser in Coaxial TO-Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW50NC60W 功能描述:IGBT 晶體管 Ultra fast series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW60H60DLFB 功能描述:IGBT 600V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開關(guān)能量:626μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:306nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:-/160ns 測試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW60H65DF 功能描述:IGBT 晶體管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW60H65DFB 功能描述:IGBT 650V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開關(guān)能量:1.09mJ（開），626μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:306nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:51ns/160ns 測試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:60ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW60H65DRF 功能描述:IGBT 晶體管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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