參數(shù)資料
型號(hào)： STGW50NB60H
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道50A條- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 50K
代理商： STGW50NB60H
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-h
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-heatsink Typ
0.5
30
0.1
o
C/W
oC/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
BR(CES)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
I
C
= 250
μ
A V
GE
= 0
600
V
I
CES
V
CE
= Max Rating T
j
= 25
o
C
V
CE
= Max Rating T
j
= 125
o
C
V
GE
=
±
20 V V
CE
= 0
10
100
±
100
μ
A
μ
A
nA
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
ON (
)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GE(th)
Gate Threshold
Voltage
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE
= V
GE
I
C
= 250
μ
A
3
5
V
V
CE(SAT)
V
GE
= 15 V I
C
= 50 A
V
GE
= 15 V I
C
= 50 A T
j
= 125
o
C
2.3
1.9
2.8
V
V
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
=25 V I
C
= 50 A
22
S
C
ies
C
oes
C
res
V
CE
= 25 V f = 1 MHz V
GE
= 0
4500
450
90
pF
pF
pF
Q
G
Q
GE
Q
GC
V
CE
= 480 V I
C
= 50 A V
GE
= 15 V
260
28
115
nC
nC
nC
I
CL
Latching Current
V
clamp
= 480 V R
G
=10
V
GE
= 15 V T
j
= 150
o
C
200
A
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Delay Time
Rise Time
V
CC
= 480 V I
C
= 50 A
V
GE
= 15 V R
G
= 10
V
CC
= 480 V I
C
= 50 A
R
G
= 10
V
GE
= 15 V
T
j
= 125
o
C
30
90
ns
ns
(di/dt)
on
E
on
Turn-on Current Slope
Turn-on
Switching Losses
350
600
A/
μ
s
μ
J
STGW50NB60H
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
STGY50NB60 N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STH4N90 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH4N90FI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW50NB60M 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
STGW50NC60W 功能描述:IGBT 晶體管 Ultra fast series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW60H60DLFB 功能描述:IGBT 600V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開(kāi)關(guān)能量:626μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:306nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:-/160ns 測(cè)試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW60H65DF 功能描述:IGBT 晶體管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW60H65DFB 功能描述:IGBT 650V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開(kāi)關(guān)能量:1.09mJ（開(kāi)），626μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:306nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:51ns/160ns 測(cè)試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:60ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
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