參數(shù)資料
型號(hào)： STGW20NB60K
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道20A條- 600V的-到247短路IGBT的證明PowerMESH⑩
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 279K
代理商： STGW20NB60K
3/8
STGW20NB60K
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
t
c
Cross-over Time
t
r
(V
off
)
Off Voltage Rise Time
t
d
(
off
)
Delay Time
t
f
Fall Time
E
off
(**)
Turn-off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
c
Cross-over Time
t
r
(V
off
)
Off Voltage Rise Time
t
d
(
off
)
Delay Time
t
f
Fall Time
E
off
(**)
Turn-off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by max. junction temperature.
(**)Losses include Also the Tail (Jedec Standardization)
Test Conditions
V
cc
= 480 V, I
C
= 20 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
120
ns
35
ns
130
ns
80
ns
0.45
mJ
0.6
mJ
V
cc
= 480 V, I
C
= 20 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
Tj = 125 °C
190
ns
55
ns
160
ns
150
ns
0.75
mJ
1.05
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW30NB60HD N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
STGY50NB60 N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW20NB60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20NC60V 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60DF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:40 A 柵極—射極漏泄電流:250 nA 功率耗散:167 W 最大工作溫度:+ 175 C 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60F 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube
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