參數(shù)資料
型號： STGW12NB60H
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道12A條- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： STGW12NB60H
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-h
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-heatsink
Max
Max
Typ
1.04
30
0.1
o
C/W
oC/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
BR(CES)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
I
C
= 250
μ
A
V
GE
= 0
600
V
I
CES
V
CE
= Max Rating
V
CE
= Max Rating
V
GE
=
±
20 V
T
j
=
T
j
= 125
o
C
25
o
C
10
100
μ
A
μ
A
nA
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
V
CE
= 0
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GE(th)
Gate Threshold
Voltage
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE
= V
GE
I
C
= 250
μ
A
3
5
V
V
CE(SAT)
V
GE
= 15 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 12 A
I
C
= 12 A
T
j
= 125
o
C
2.0
1.7
2.8
V
V
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
=25 V
I
C
= 12 A
9.5
S
C
ies
C
oes
C
res
V
CE
= 25 V
f = 1 MHz
V
GE
= 0
950
120
27
pF
pF
pF
Q
G
Q
GE
Q
GC
V
CE
= 480 V
I
C
= 12 A
V
GE
= 15 V
68
10
30
nC
nC
nC
I
CL
Latching Current
V
clamp
= 480
T
j
= 150
o
C
R
G
=10
48
A
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Delay Time
Rise Time
V
CC
= 480 V
V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V
R
G
= 10
T
j
= 125
o
C
I
C
= 12 A
R
G
= 10
I
C
= 12 A
V
GE
= 15 V
5
46
ns
ns
E
on
Turn-on Current Slope
Turn-on
Switching Losses
1000
290
A/
μ
s
μ
J
STGW12NB60H
2/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW20NB60HD N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW20NB60KD N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH? IGBT
STGW20NB60H N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW20NB60K N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT
STGW30NB60HD N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW12NB60HD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW15H120DF2 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關(guān)能量:380μJ（開），370μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:67nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:23ns/111ns 測試條件:600V，15A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:231ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:30
STGW15H120F2 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關(guān)能量:380μJ（開），370μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:67nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:23ns/111ns 測試條件:600V，15A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:30
STGW15M120DF3 功能描述:IGBT 1200V 30A 259W 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關(guān)能量:550μJ（開），850μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:226nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:26ns/122ns 測試條件:600V，15A，22 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:270ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標準包裝:30
STGW15S120DF3 功能描述:IGBT 1200V 15A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.05V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關(guān)能量:540μJ（開），1.38mJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:53nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:23ns/140ns 測試條件:600V，15A，22 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:270ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30
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