參數(shù)資料
型號(hào): STGP10N50A
英文描述: Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Package/Case:DO-214AA; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:70pF; Forward Voltage:5V; Holding Current:120mA; Leakage Current:5uA RoHS Compliant: NA
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展|甲一(c)| TO - 220AB現(xiàn)有
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代理商: STGP10N50A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH221 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:170V; Capacitance:60pF; Holding Current:50mA; Leakage Current:5uA; Mounting Type:Through Hole; On-State Saturation Voltage:4V
STH26N25 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218
STH26N25FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-218VAR
STH45N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-218
STH45N10FI 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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STGP10N60L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 10A - 600V TO-220 LOGIC LEVEL IGBT
STGP10NB37LZ 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP10NB60S 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP10NB60S_05 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT