- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385874 > STGE50NB60HD (意法半導體) N-CHANNEL 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STGE50NB60HD |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N溝道50A條- 600V的IGBT的1000V的集電極PowerMESH |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | STGE50NB60HD |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-h
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-heatsink
Max
Max
Typ
0.416
30
0.1
o
C/W
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
j
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
BR(CES)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
I
C
= 250
μ
A
V
GE
= 0
600
V
I
CES
V
CE
= Max Rating
V
CE
= Max Rating
V
GE
=
±
20 V
T
j
=
T
j
= 125
o
C
25
o
C
100
1000
μ
A
μ
A
nA
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
V
CE
= 0
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GE(th)
Gate Threshold
Voltage
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE
= V
GE
I
C
= 250
μ
A
3
5
V
V
CE(SAT)
V
GE
= 15 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A
I
C
= 50 A
T
j
= 125
o
C
2.3
1.9
2.8
V
V
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
=25 V
I
C
= 50 A
22
S
C
ies
C
oes
C
res
V
CE
= 25 V
f = 1 MHz
V
GE
= 0
4500
450
90
pF
pF
pF
Q
G
Q
GE
Q
GC
V
CE
= 480 V
I
C
= 50 A
V
GE
= 15 V
260
28
15
nC
nC
nC
I
CL
Latching Current
V
clamp
= 480 V
T
j
= 150
o
C
R
G
=10
200
A
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Delay Time
Rise Time
V
CC
= 480 V
V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V
R
G
= 10
T
j
= 125
o
C
I
C
= 50 A
R
G
= 10
I
C
= 50 A
V
GE
= 15 V
20
70
ns
ns
E
on
(
H
)
Turn-on Current Slope
Turn-on
Switching Losses
350
950
A/
μ
s
μ
J
STGE50NB60HD
2/6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGF10NB60SD | N-CHANNEL 10A - 600V TO-220FP PowerMESH? IGBT |
| STGP14NC60KD | Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
| STGP7NB60FD | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT |
| STGP7NB60HD | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT |
| STGP7NB60KD | N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STGE50NC60VD | 功能描述:IGBT 晶體管 N-chnl 50A-600V PowerMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGE50NC60WD | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600volt 50 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGF10H60DF | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 20A 30W TO220FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:SADA_600 V, 10 A high speed trench gate field-stop IGBT |
| STGF10NB60SD | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGF10NB60SD_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 10A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。