參數(shù)資料
型號： STGD7NB120S-1
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 7A - 1200V IPAK Power MESH IGBT
中文描述： N溝道第7A - 1200伏像是iPak IGBT的電力網(wǎng)格
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 43K
代理商： STGD7NB120S-1
STGD7NB120S-1
N-CHANNEL 7A - 1200V IPAK
Power MESH
IGBT
PRELIMINARY DATA
I
HIGH INPUT IMPEDANCE
(VOLTAGEDRIVEN)
I
VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
OFFLOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based
on a patented strip layout, STMicroelectronics
has designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs,
perfomances. The suffix ”S” identifies a family
optimized to achieve minimum on-voltage drop
for low frequencyapplications (<1kHz).
with
outstanding
APPLICATIONS
I
LIGHT DIMMER
I
INRUSH CURRENT LIMITATION
I
MOTOR CONTROL
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
Reverse Battery Protection
1200
V
20
V
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Collector Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
±
20
10
V
A
I
C
7
A
I
CM
(
)
P
tot
Collector Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
20
A
55
W
0.4
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
7 A
STGD7NB120S-1
1200 V
< 2.1 V
April 2000
3
2
1
IPAK
TO-251
(Suffix ”-1”)
1/6
相關PDF資料
PDF描述
STGE200NB60S N-CHANNEL 150A - 600V - ISOTOP PowerMESH⑩ IGBT
STGE50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBT
STGF10NB60SD N-CHANNEL 10A - 600V TO-220FP PowerMESH? IGBT
STGP14NC60KD Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
STGP7NB60FD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STGD7NB120S-1_0008 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 1200V - IPAK PowerMESH IGBT
STGD7NB120ST4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Channel 7A-1200V IPAK PowerMESH IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB60F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
STGD7NB60FT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB60H 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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