參數(shù)資料
型號： STF4A60
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Bi-Directional Triode Thyristor
中文描述： 雙向可控硅三極管
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 655K
代理商： STF4A60
Absolute Maximum Ratings
( T
J
= 25°C unless otherwise specified )
Symbol
Parameter
Condition
Ratings
Units
V
DRM
Repetitive Peak Off-State Voltage
600
V
I
T(RMS)
R.M.S On-State Current
T
C
= 99 °C
4.0
A
I
TSM
Surge On-State Current
One Cycle, 50Hz/60Hz, Peak,
Non-Repetitive
30/33
A
I
2
t
I
2
t
4.5
A
2
s
P
GM
Peak Gate Power Dissipation
1.5
W
P
G(AV)
Average Gate Power Dissipation
0.1
W
I
GM
Peak Gate Current
1.0
A
V
GM
Peak Gate Voltage
7.0
V
T
J
Operating Junction Temperature
- 40 ~ 125
°C
T
STG
Storage Temperature
- 40 ~ 150
°C
Mass
2.0
g
Bi-Directional Triode Thyristor
Features
◆
Repetitive Peak Off-State Voltage : 600V
◆
R.M.S On-State Current ( I
T(RMS)
= 4 A )
◆
High Commutation dv/dt
General Description
This device is suitable for direct coupling to TTL, HTL, CMOS
and application such as various logic functions, low power
AC switching applications, such as fan speed, small light
controllers and home appliance equipment.
2.T2
3.Gate
1.T1
Symbol
○
○
○
▼▲
1/6
S T F4A60
UL : E228720
S emiWell
Semiconductor
TO-220F
1
2
3
Aug, 2003. Rev. 1
copyright@SemiWell Semiconductor Co., Ltd., All rights reserved.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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STF4N62K3 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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