參數(shù)資料
型號(hào)： STD7NK40ZT4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 5.4AI（四）|對(duì)252AA
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 163K
代理商： STD7NK40ZT4
1/10
July 2002
STD7NB20
STD7NB20-1
N-CHANNEL 200V - 0.3
- 7A DPAK/IPAK
PowerMESH
MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.3
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATE CHARGE MINIMIZED
I
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &
REEL
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, STMicroelectronics has designed an ad-
vanced family of power MOSFETs with outstanding
performances. The new patent pending strip layout
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-
nation structure, gives the lowest R
DS(on)
per area,
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and
unrivalled gate charge and switching characteris-
tics.
APPLICATIONS
I
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
I
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25
°
C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100
°
C
I
DM
(
l
)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
(
)Pulse width limitedby safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STD7NB20
STD7NB20-1
200 V
200 V
< 0.40
< 0.40
7 A
7 A
Parameter
Value
Unit
200
V
200
±
30
V
V
7
A
5
A
28
A
55
W
0.44
W/
°
C
V/ns
°
C
°
C
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
5.5
T
stg
T
j
Storage Temperature
– 65 to 150
Max. Operating Junction Temperature
150
(1) I
SD
≤
7A, di/dt
≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, Tj
≤
T
jMAX
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
1
3
TO-252
DPAK
3
2
1
IPAK
TO-251
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD7NS20T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA
STD80 STD80 0.5 Micron STD80 Standard Cell Library|Data Sheet
STD83003-1 BJT
STD83003T4 BJT
STD8N06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD7NM50N 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.70 5A Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD7NM50N-1 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.70 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD7NM60N 功能描述:MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD7NM64N 功能描述:MOSFET N-CH 640V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:640V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.05 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD7NM80 功能描述:MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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