參數(shù)資料
型號： STD70N03L-1
廠商： 意法半導體
英文描述： N-channel 30V - 0.0059ohm - 70A - DPAK / IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.0059ohm - 70A條-的DPAK /像是iPak STripFET商標第三功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/16頁
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代理商： STD70N03L-1
Electrical characteristics
STD70N03L - STD70N03L-1
4/16
2
Electrical characteristics
(T
CASE
=25°C unless otherwise specified)
Table 3.
On/off states
Symbol
Parameter
Test condictions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
breakdown voltage
I
D
= 250μA, V
GS
= 0
30
V
I
DSS
Zero gate voltage drain
current (V
GS
= 0)
V
DS
= 20V,
V
DS
= 20V,Tc = 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate body leakage
current(V
DS
= 0)
V
GS
= ±20V
±
100
nA
V
GS(th)
Gate threshold voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
1
V
R
DS(on)
Static drain-source on
resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 35A
V
GS
= 5V, I
D
= 35A
V
GS
= 10V, I
D
= 35A @Tj=125°C
V
GS
= 5V, I
D
= 35A @Tj=125°C
0.0059
0.007
0.0091
0.0108
0.0073
0.013
0.0113
0.0201
Table 4.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test condictions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (1)
1.
Pulsed: pulse duration = 300μs, duty cycle 1.5%
Forward
transconductance
V
DS
=10V, I
D
= 15A
40
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
V
DS
=25V, f=1MHz, V
GS
=0
2200
380
49
pF
pF
pF
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
V
DD
=15V, I
D
= 70A
V
GS
=5V
(see Figure 7)
15.7
8.3
3.4
21
nC
nC
nC
Q
gls (2)
2.
Gate charge for synchronous operation: see
Appendix A: Power losses estimation
Third-quadrant gate
charge
V
DS
<0V, V
GS
=10V
15
nC
R
G
Gate input resistance
f=1MHz Gate DC Bias =0 Test
signal level =20mV open drain
1.5
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PDF描述
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