參數(shù)資料
型號(hào)： STD6N10T4
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 6A條（丁）|至252
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： STD6N10T4
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
4.29
100
1.5
275
o
C/W
o
C/W
o
C/W
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
o
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
6
A
E
AS
20
mJ
E
AR
5
mJ
I
AR
4
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
100
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 3 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
V
GS
= 10V
0.35
0.45
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
6
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 3 A
1.2
3
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
265
65
20
400
90
30
pF
pF
pF
STD6N10
2/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD6NC40-1 Resettable Fuse; Series:250R; Thermistor Type:PTC; Operating Voltage Max:60V; Holding Current:0.18A; Tripping Current:0.65A; Length:12mm; Lead Pitch:5.1mm; Initial Resistance Min:0.8ohm; Initial Resistance Max:4ohm RoHS Compliant: Yes
STD6NC40T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
STD6NF10-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251AA
STD6NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252AA
STD70NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0062OHM - 60A - DPAK STRIPFET III POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD6N52K3 功能描述:MOSFET N-channel 525 V MDMesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD6N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STD6N60M2 Series 600 V 4.5 A 1.2 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-252-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 4.5A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 4.5A MDmesh II DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,1.06Ohm,4.5A Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,1.06,4.5A,N-Channel Power MOSFET
STD6N62K3 功能描述:MOSFET N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD6N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.35 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD6N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:255pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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