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參數資料
| 型號： | STD6N10LT4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 6A條（?。﹟至252 |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | STD6N10LT4 |
Capacitance Variations
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Temperature
Normalized On Resistance vs Temperature
Turn-on Current Slope
Cross-over Time
Turn-off Drain-source Voltage Slope
STD6N10
5/10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD6N10T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252 |
| STD6NC40-1 | Resettable Fuse; Series:250R; Thermistor Type:PTC; Operating Voltage Max:60V; Holding Current:0.18A; Tripping Current:0.65A; Length:12mm; Lead Pitch:5.1mm; Initial Resistance Min:0.8ohm; Initial Resistance Max:4ohm RoHS Compliant: Yes |
| STD6NC40T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| STD6NF10-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251AA |
| STD6NF10T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STD6N10T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252 |
| STD6N52K3 | 功能描述:MOSFET N-channel 525 V MDMesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD6N60M2 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STD6N60M2 Series 600 V 4.5 A 1.2 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-252-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 4.5A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 4.5A MDmesh II DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,1.06Ohm,4.5A Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,1.06,4.5A,N-Channel Power MOSFET |
| STD6N62K3 | 功能描述:MOSFET N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD6N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.35 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 |
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