- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄372329 > STD5N20T4 Cartridge Fuse; Current Rating:100mA; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Size/Group:5 x 20 mm; Body Material:Glass; Diameter:5.2mm; Fuse Terminals:Ferrule; Length:20mm; Series:235XE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STD5N20T4 |
| 英文描述： | Cartridge Fuse; Current Rating:100mA; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Size/Group:5 x 20 mm; Body Material:Glass; Diameter:5.2mm; Fuse Terminals:Ferrule; Length:20mm; Series:235XE |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 5A條（?。﹟至252 |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | STD5N20T4 |
STD5N20
8/8
Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the
consequences of use of such information nor forany infringement of patents orother rights ofthird partieswhich mayresult from
its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications
mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information
previously supplied. STMicroelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or
systems without express written approval of STMicroelectronics.
The ST logo is a registered trademark of STMicroelectronics
2002 STMicroelectronics - Printed in Italy - All Rights Reserved
STMicroelectronics GROUP OF COMPANIES
Australia - Brazil - Canada - China - Finland - France- Germany - Hong Kong - India - Israel - Italy - Japan - Malaysia - Malta - Morocco
Singapore - Spain- Sweden - Switzerland - United Kingdom - United States.
http://www.st.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD5NB20T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| STD5NM50T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| STD5NM60T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| STD5NB30T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA |
| STD5NE10L1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STD5N52K3 | 功能描述:MOSFET N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD5N52U | 功能描述:MOSFET N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD5N60DM2 | 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:Digi-Reel? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.55 歐姆 @ 1.75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:375pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STD5N60M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 1.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:211pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STD5N62K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。