參數(shù)資料
型號(hào)： STD5N20-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： TRANSISTOR MOSFET TO 251 I PAK
中文描述： 晶體管MOSFET以251余巴基斯坦
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 105K
代理商： STD5N20-1
STD5N20
N - CHANNEL 200V - 0.7
- 5A - TO-251/TO-252
POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.7
I
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY
I
100%AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVEAVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
150
o
C OPERATINGTEMPERATURE
I
APPLICATIONORIENTED
CHARACTERIZATION
I
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER
PACKAGEIN TUBE(SUFFIX ”-1”)
I
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWERPACKAGEIN TAPE& REEL
(SUFFIX ”T4”)
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SOLENOID AND RELAYDRIVERS
I
DC-DC CONVERTERS & DC-AC INVERTERS
I
TELECOMMUNICATION POWER SUPPLIES
INDUSTRIAL MOTOR DRIVES
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
200
V
200
V
±
20
5
V
A
I
D
3.5
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
20
A
45
W
0.36
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.8
I
D
STD5N20
200 V
5 A
March 1999
3
2
1
IPAK
TO-251
(Suffix”-1”)
1
3
DPAK
TO-252
(Suffix ”T4”)
1/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD5N20 N - CHANNEL 200V - 0.7ohm - 5A - TO-251/TO-252 POWER MOS TRANSISTOR
STD5NB20 N-Channel 200V-0.7Ω-5A DPAK PowerMESH MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD5NB30 N-Channel 300V-0.75Ω-5A- DPAK PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STD5NM60-1 N-CHANNEL 600V - 0.9ohm - 8A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK MDmesh⑩ Power MOSFET
STP8NM60 N-CHANNEL 600V - 0.9ohm - 8A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK MDmesh⑩ Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD5N20L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 200V - 0.65ヘ - 5A DPAK STripFET⑩ MOSFET
STD5N20LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD5N20T4 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD5N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD5N52U 功能描述:MOSFET N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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