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STD4NK60ZT4	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-252AA
STD4NS25T4	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-252AA
STD55NH2LL	N-CHANNEL 24V - 0.008 OHM - 55A DPAK/IPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STRIPFET POWER MOSFET
STD5N20T4	Cartridge Fuse; Current Rating:100mA; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Size/Group:5 x 20 mm; Body Material:Glass; Diameter:5.2mm; Fuse Terminals:Ferrule; Length:20mm; Series:235XE
STD5NB20T4	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252AA

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STD4NK60ZT4

STD4NS25T4

STD55NH2LL

N-CHANNEL 24V - 0.008 OHM - 55A DPAK/IPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STRIPFET POWER MOSFET

STD5N20T4

Cartridge Fuse; Current Rating:100mA; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Size/Group:5 x 20 mm; Body Material:Glass; Diameter:5.2mm; Fuse Terminals:Ferrule; Length:20mm; Series:235XE

STD5NB20T4

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
STD4NK100Z	功能描述:MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，SuperMESH? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.8 歐姆 @ 1.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:601pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD4NK50	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STD4NK50Z	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STD4NK50Z1	制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
STD4NK50Z-1	功能描述:MOSFET N-Ch, 500V-2.4ohms Zener SuperMESH 3A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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參數(shù)描述

STD4NK100Z

功能描述:MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，SuperMESH? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.8 歐姆 @ 1.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:601pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1

STD4NK50

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET

STD4NK50Z

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET

STD4NK50Z1

制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

STD4NK50Z-1

功能描述:MOSFET N-Ch, 500V-2.4ohms Zener SuperMESH 3A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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型號：	STD4NC50-1
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 3.7A I(D) \| TO-251AA
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 500V五（巴西）直\| 3.7AI（四）\|對251AA
文件頁數(shù)：	9/9頁
文件大?。?/td>	336K
代理商：	STD4NC50-1

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