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STD4NB25T4	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-252AA
STD4NC50-1	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 3.7A I(D) \| TO-251AA
STD4NK60ZT4	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-252AA
STD4NS25T4	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-252AA
STD55NH2LL	N-CHANNEL 24V - 0.008 OHM - 55A DPAK/IPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STRIPFET POWER MOSFET

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N-CHANNEL 24V - 0.008 OHM - 55A DPAK/IPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STRIPFET POWER MOSFET

相關代理商/技術參數(shù)	參數(shù)描述
STD4N52K3	功能描述:MOSFET N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD4N62K3	功能描述:MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD4N80K5	制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STD4N80K5 Series 800 V 3 A 2.5 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-252-3
STD4N90K5	功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:173pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1
STD4NA40	制造商:STMicroelectronics 功能描述:

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STD4N52K3

功能描述:MOSFET N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

STD4N62K3

功能描述:MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

STD4N80K5

制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STD4N80K5 Series 800 V 3 A 2.5 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-252-3

STD4N90K5

功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:173pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1

STD4NA40

制造商:STMicroelectronics 功能描述:

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型號：	STD4N25T4
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-252
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 250V五（巴西）直\| 4A條（?。﹟至252
文件頁數(shù)：	3/9頁
文件大小：	336K
代理商：	STD4N25T4

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