型號: | STD2NB50T4 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-252AA |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五(巴西)直| 1A條(?。﹟對252AA |
文件頁數(shù): | 8/10頁 |
文件大小: | 174K |
代理商: | STD2NB50T4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STD2NB80-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-251AA |
STD2NC45T4 | N-CHANNEL 450V 4.1OHM 1.5A DPAK/IPAK/TO-92 SUPERMESH POWER MOSFET |
STD2NC50T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA |
STD2NC60-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-251AA |
STD2NC70ZT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-252AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STD2NB60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET |
STD2NB60-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET |
STD2NB60T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STD2NB80 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STD2NB80-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |