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    參數(shù)資料
    型號(hào): STD2NB25T4
    英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252AA
    中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五(巴西)直|甲(?。﹟對(duì)252AA
    文件頁數(shù): 6/10頁
    文件大?。?/td> 174K
    代理商: STD2NB25T4
    Switching Safe Operating Area
    Accidental Overload Area
    Source-drain Diode Forward Characteristics
    Fig. 1:
    Unclamped Inductive Load Test Circuits
    Fig. 2:
    Unclamped Inductive Waveforms
    STD2N50
    6/10
    相關(guān)PDF資料
    PDF描述
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    STD2NC45T4 N-CHANNEL 450V 4.1OHM 1.5A DPAK/IPAK/TO-92 SUPERMESH POWER MOSFET
    STD2NC50T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA
    相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
    參數(shù)描述
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    STD2NB40-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-CHANNEL 400V - 3.5 OHM - 2A - IPAK/DPAK POWERMESH MOSFET
    STD2NB50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 5ohm - 1A DPAK / IPAK PowerMesh⑩ MOSFET
    STD2NB50-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 5ohm - 1A DPAK / IPAK PowerMesh⑩ MOSFET
    STD2NB50T4 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 1.0Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube