參數(shù)資料
型號： STD1NK60T4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK / IPAK / TO-92 SuperMESH Power MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 8 -第1A的DPAK /像是iPak /至92 SuperMESH功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/13頁
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代理商： STD1NK60T4
STD1NK60 - STD1NK60-1 - STQ1HNK60R
2/13
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
( ) Pulse width limited by safe operating area
(1) I
SD
≤
1.0A, di/dt
≤
100A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
THERMAL DATA
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STD1NK60
STD1NK60-1
STQ1HNK60R
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
TOT
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
600
V
600
V
Gate- source Voltage
± 30
V
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
Drain Current (pulsed)
1.0
0.4
A
0.63
0.25
A
4
1.6
A
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
30
3
W
0.24
0.025
W/°C
V/ns
dv/dt (1)
T
j
T
stg
3
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
-55 to 150
°C
DPAK / IPAK
4.16
100
TO-92
Rthj-case
Rthj-amb
Rthj-lead
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Junction-lead Max
Maximum Lead Temperature For Soldering
Purpose
°C/W
°C/W
°C/W
°C
120
40
260
275
Parameter
Max Value
Unit
DPAK / IPAK
TO-92
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
1
A
E
AS
25
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STQ1HNK60R N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK / IPAK / TO-92 SuperMESH Power MOSFET
STQ1HNK60R-AP N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK / IPAK / TO-92 SuperMESH Power MOSFET
STD20N03L N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor
STU20N03L N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor
STD20NF20 N-channel 200V - 0.10ヘ -18A- DPAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD1NK80Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 800V - 13 ヘ - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH⑩ MOSFET
STD1NK80Z-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 800V-13ohms 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD1NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 800 V 13 Ohms Zener SuperMESH 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2 功能描述:保險絲 2A 240VAC IND RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險絲類型:Fast Acting 保險絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風(fēng)格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485
STD-2.6A220M 制造商:STD 功能描述:Inductor, Ferrite Core, 22uh, 20±%
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