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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STD19NE06L1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 19A條（?。﹟對(duì)251AA |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | STD19NE06L1 |
3/9
STD19NE06
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s,duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
18
95
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 48V I
D
= 30A V
GS
= 10V
35
10
12
50
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
clamp
= 48 V
R
G
= 4.7
,
(Inductive Load, Figure 5)
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
10
41
60
ns
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
19
76
A
A
V
SD(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 19 A
V
GS
= 0
1.2
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 19 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/
μ
s
T
j
= 150
°
C
85
190
4.5
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD19NE06L-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA |
| STD19NE06LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA |
| STD19NE06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA |
| STD19NE06 | N-CHANNEL 60V - 0.042 W - 19A IPAK/DPAK STripFET POWER MOSFET |
| STD1NA60-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-251 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STD19NE06L-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-251AA |
| STD19NE06LT4 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD19NE06T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-252AA |
| STD1HN60K3 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-ch,600V,6.4Ohm,1.2 A,DPAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET |
| STD1HNC60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMesh⑩II MOSFET |
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