參數(shù)資料
型號： STD1664
廠商： AUK Corp
英文描述： NPN Silicon Transistor
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 81K
代理商： STD1664
KST-8004-001
1
STD1664
NPN Silicon Transistor
Description
Medium power amplifier application
Features
P
C
(Collector dissipation)= 2W(Ceramic substate of 40
×
40
×
0.8mm used)
Low collector saturation voltage : V
CE(sat)
= 0.15V(Typ.)
Complementary pair with STB1132
Ordering
Information
Type NO.
Marking
Package Code
STD1664
Outline Dimensions unit :
mm
A2
SOT-89
: h
rank, monthly code
S
S
e
e
m
m
i
i
c
c
o
o
n
n
d
d
u
u
c
c
t
t
o
o
r
r
PI N Connections
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4.0
0.50
±
0.1
1
±
0
0
1
-
+
3
1
2
4
-0.3
+ 0.5
2.5
-0.3
+ 0.2
1.00
±
0.3
-
+
0
±
0
0
±
0
0
-
+
0
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PDF描述
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STD16N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1
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