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參數(shù)資料
| 型號： | STD15N06 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件 |
| 文件頁數(shù)： | 607/751頁 |
| 文件大?。?/td> | 5531K |
| 代理商： | STD15N06 |
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STD150
5-66
Samsung ASIC
DPSRAMR_HD
High-Density Dual-Port Synchronous Static RAM with Redundancy
Characteristics
Definition for AC Timing
(ns)
Symbol
t
cyc
t
ckh
t
as
t
cs
t
ds
t
ws
t
bws
t
acc
t
dz
t
od
Definition for Power Consumption
(
μ
W/MHz)
Power_read
The dynamic average power consumption while in a read cycle
Power_write
The dynamic average power consumption while in a write cycle
Power_standby
The standby power consumption while CSN is high, other signals in stable and only CK
is toggled.
Description
Symbol
Description
Clock cycle time
Clock pulse width high
Address setup time
CSN setup time
Data-In setup time
WEN setup time
BWEN setup time
Data access time
DOUT drive to high-Z time
OEN to valid output time
t
ckl
t
cc
t
ah
t
ch
t
dh
t
wh
t
bwh
t
da
t
zd
Clock pulse width low
Clock-to-clock setup time
Address hold time
CSN hold time
Data-In hold time
WEN hold time
BWEN hold time
De-access time
DOUT high-Z to drive time
Definition for Static Leakage Current Consumption
(
μ
A)
Static_leakage
The static leakage power consumption while CSN is high and all signals including CK
are in stable.
Definition for Area
(
μ
m)
Width
The physical width in X-direction
Height
The physical height in Y-direction
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