- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄372328 > STD12N05T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STD12N05T4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 50V五（巴西）直| 12A條（丁）|至252 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 177K |
| 代理商： | STD12N05T4 |
Derating Curve
Transfer Characteristics
Output Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
STD12N05/STD12N06
4/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD12N06-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251 |
| STD12N06L-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251 |
| STD12N06LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252 |
| STD12N06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252 |
| STD12NE06L-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STD12N06 | 功能描述:MOSFET TO-251 N-CH 60V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD12N06-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251 |
| STD12N06L | 功能描述:MOSFET TO-251 N-CH 60V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD12N06L-1 | 功能描述:MOSFET REORD 511-STD12NF06L TO-251 N-CH 12A 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD12N06LT4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。