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參數(shù)資料
| 型號： | STD12N05L |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強模式的低閾值功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式低閾值功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | STD12N05L |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 25 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 40 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 40 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 5 V
55
180
80
260
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 12 A
V
GS
= 5 V
120
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 12 A
V
GS
= 5 V
12
6
5
18
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 40 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 12 A
V
GS
= 5 V
40
60
110
60
90
160
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
12
48
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 12 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 12 A
V
DD
= 25 V
(see test circuit, figure 5)
75
0.15
4
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Areas
Thermal Impedance
STD12N05L/STD12N06L
3/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STF-H303UWW | T-1 SINGLE COLOR LED, ULTRA WHITE, 3 mm |
| STF202-22T1 | USB Filter with ESD Protection |
| STI728107D1-70VGR | 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168 |
| STI728107D1-70VGU | 8M X 72 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168 |
| STPCG1MBRD | INTERCONNECTION DEVICE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STD12N05L-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251 |
| STD12N05LT4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252 |
| STD12N05T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 50 Volt 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD12N06 | 功能描述:MOSFET TO-251 N-CH 60V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD12N06-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251 |
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