參數(shù)資料
型號： STD12N05L-1
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 50V五（巴西）直| 12A條（?。﹟至251
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 177K
代理商： STD12N05L-1
Fig. 4:
Gate Charge Test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
STD12N05/STD12N06
7/10
相關PDF資料
PDF描述
STD12N05LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
STD12N05T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
STD12N06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251
STD12N06L-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251
STD12N06LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STD12N05LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
STD12N05T4 功能描述:MOSFET N-Ch 50 Volt 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD12N06 功能描述:MOSFET TO-251 N-CH 60V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD12N06-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251
STD12N06L 功能描述:MOSFET TO-251 N-CH 60V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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