參數(shù)資料
型號： STC08DE150HP
廠商： 意法半導體
英文描述： Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1500V - 8A - 0.075 ohm
中文描述： 混合發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管內(nèi)酰胺酶1500V的- 8A條- 0.075歐姆
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大小： 283K
代理商： STC08DE150HP
Electrical characteristics
STC08DE150HP
4/11
2
Electrical characteristics
(T
case
= 25°C unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CS(SS)
Collector-source
current (V
BS
=V
GS
=0V)
V
CS(SS)
=1500V
100
μ
A
I
BS(OS)
Base-source current
(I
C
=0, V
GS
=0V)
V
BS(OS)
=30V
10
μ
A
I
SB(OS)
Source-base current
(I
C
=0, V
GS
=0V)
V
SB(OS)
=9V
100
μ
A
I
GS(OS)
Gate-source leakage
(V
BS
=0V)
V
GS
=
±
20V
500
nA
V
CS(ON)
Collector-source ON
voltage
V
GS
=10V I
C
=8A I
B
=1.6A
V
GS
=10V I
C
=5A I
B
=0.5A
0.6
0.6
1.4
V
V
h
FE
DC current gain
I
C
=8A V
CS
=1V V
GS
=10V
I
C
=5A V
CS
=1V V
GS
=10V
4.5
8
7.5
10
V
BS(ON)
Base-source ON
voltage
V
GS
=10V I
C
=8A I
B
=1.6A
V
GS
=10V I
C
=5A I
B
=0.5A
1.5
1
2
V
V
V
GS(th)
Gate threshold voltage
V
BS
=V
GS
I
B
=250
μ
A
1.5
2.2
3
V
C
iss
Input capacitance
V
CS
=25V f =1MHz
V
GS
=V
CB
=0V
750
pF
Q
GS(tot)
Gate-source Charge
V
GS
=10V I
C
=8A
V
CS
=25V V
CB
=0V
12.5
nC
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage time
Fall time
V
GS
=10V R
G
=47
V
Clamp
=1200V t
p
=4
μ
s
I
C
=5A I
B
=0.5A
526
8.5
ns
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage time
Fall time
V
GS
=10V R
G
=47
V
Clamp
=1200V t
p
=4
μ
s
I
C
=5A I
B
=1A
884
16
ns
ns
V
CSW
Maximum collector-
source voltage
switched without
snubber
R
G
=47
h
FE
=5
I
C
= 8A
1500
V
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