參數(shù)資料
型號： STB6LNC60
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A D2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 1ohm - 5.8A D2PAK封裝MOSFET的第二PowerMesh⑩
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 422K
代理商： STB6LNC60
1/9
October 2001
STB6LNC60
N-CHANNEL 600V - 1
- 5.8A D
2
PAK
PowerMeshII MOSFET
(1)I
SD
≤
5.8A, di/dt
≤
100A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
I
TYPICAL R
DS
(on) = 1.0
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK
I
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
The PowerMESH
II is
the evolution of the first
generation of MESH OVERLAY
.
The layout re-
finements introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the lead-
ing edge for what concerns switching speed, gate
charge and ruggedness.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
I
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVES
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100°C
I
DM
(
G
)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
()Pulse width limited by safe operating area
(*) Limited only by maximum temperature allowed
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STB6LNC60
600 V
< 1.25
5.8 A
Parameter
Value
Unit
600
V
600
V
±30
V
5.8
A
3.65
A
23.2
A
100
W
0.8
3
W/°C
V/ns
–65 to 150
°C
D
2
PAK
1
3
相關PDF資料
PDF描述
STB6NB90 N - CHANNEL 900V - 1.7OHM - 5.8A - D2PAK PowerMESHO MOSFET
STB95NF03 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STBR406 50-60Hz RECTIFICATION BRIDGE
STBR408 50-60Hz RECTIFICATION BRIDGE
STBV32 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STB6LNC60T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-263AB
STB6N52K3 功能描述:MOSFET N-Ch 525V 1 Ohm 5A SuperMESH3 Zener RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STB6N60M2 Series 600 V 4.5 A 1.2 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-263-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 4.5A D2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,1.06Ohm,4.5A Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,1.06,4.5A,N-Channel Power MOSFET
STB6N62K3 功能描述:MOSFET N-Channel Power Mosfet D2PAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.35 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*