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參數(shù)資料
| 型號： | STB40N20 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET |
| 中文描述： | N溝道200伏- 0.038歐姆- 40A條TO-220/TO-247/D2PAK低MOSFET的柵極電荷STripFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | STB40N20 |
1/9
April 2001
STB40NF10L
N-CHANNEL 100V - 0.028
- 40A D2PAK
LOW GATE CHARGE STripFET
POWER MOSFET
(1) Starting T
j
= 25
°
C, I
D
= 20A, V
DD
= 40V
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.028
I
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
I
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &
REEL
DESCRIPTION
This Power Mosfet series realized with STMicro-
electronics unique STripFET processhas specifical-
ly beendesigned to minimize input capacitance and
gate charge. It is therefore suitable as primary
switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC
converters for Telecom and Computer application.It
is also intended for any application with low gate
charge drive requirements.
APPLICATIONS
I
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
I
UPS AND MOTOR CONTROL
I
AUTOMOTIVE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25
°
C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100
°
C
I
DM
(
G
)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
(
G
) Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STB40NF10L
100 V
< 0.033
40 A
Parameter
Value
Unit
100
V
100
±
15
V
V
40
A
25
A
160
A
150
W
1
W/
°
C
mJ
E
AS
(1)
T
stg
T
j
Single Pulse Avalanche Energy
430
Storage Temperature
–65 to 175
°
C
°
C
Max. Operating Junction Temperature
175
D2PAK
1
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB40NS15 | CAP 0.01UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14 |
| STB45NF06LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-263AB |
| STB45NF3LLT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB |
| STB45NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STB4NB50-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-262AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB40N60M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:88 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STB40NE03L20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
| STB40NE03L-20 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET |
| STB40NE03L-20T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
| STB40NF03L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 30V - 0.020 ohm - 40A D2PAK STripFET POWER MOSFET |
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