參數(shù)資料
型號: STB36NF06L
英文描述: FUSE,1.5A,RESETTABLE,SMDC150
中文描述: N溝道60V的- 0.032歐姆- 30A條D2PAK/TO-220 STRIPFET二功率MOSFET
文件頁數(shù): 3/8頁
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代理商: STB36NF06L
3/8
STB36NF06L STP36NF06L
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 15 A
V
GS
= 5 V
11
80
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 30 V I
D
= 30 A V
GS
= 10 V
13
4.5
8
17.5
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 15 A
V
GS
= 5 V
20
13
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
30
120
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 30 A V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 30 A
V
DD
= 20 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
55
108
4
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP3N100XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SOT-186VAR
STP3N50XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | SOT-186VAR
STP3N60FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-220VAR
STP3N60XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.4A I(D) | SOT-186VAR
STP3N80XI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | SOT-186VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB36NF06LT4 功能描述:MOSFET 60V 0.032Ohm 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB36NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB36NM60ND 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel
STB37N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級,AEC-Q101,MDmesh? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB38N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube