參數(shù)資料
型號： STB12NM60N-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.35ヘ- 10A條- D2/I2PAK - TO-220/FP -到247⑩第二代MDmesh功率MOSFET
文件頁數(shù)： 8/18頁
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代理商： STB12NM60N-1
Electrical characteristics
STB12NM60N/-1 - STF12NM60N - STP12NM60N - STW12NM60N
8/18
Figure 13.
Normalized gate threshold voltage
vs. temperature
Figure 14.
Normalized on resistance vs.
temperature
Figure 15.
Source-drain diode forward
characteristics
Figure 16.
Normalized BV
DSS
vs. temperature
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PDF描述
STP12NM60N N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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STP14NK50ZFP N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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