- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383840 > STB10NB20T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STB10NB20T4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 10A條（丁）|對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | STB10NB20T4 |
STB100NF03L-03
2/9
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
°
C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
0.5
62.5
300
°
C/W
°
C/W
°
C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
30
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125
°
C
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
15V
±
100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
1
1.7
2.5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 50 A
I
D
= 50 A
0.0026
0.0032
0.0032
0.0045
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(*)
Forward Transconductance
V
DS
>I
D(on)
xR
DS(on)max
I
D
=10 A
10
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V f = 1 MHz V
GS
= 0
6200
1720
300
pF
pF
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| STB10NB50T4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
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